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NandFlash存儲器由多個Block組成，每一個Block又由多個Page組成，Page的大小一般為2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是讀取和編程的基本單位，而擦除的基本單位是Block。

NAND Flash的頁，包含主區(qū)（Main Area）和備用區(qū)（Spare Area）兩個域，“主區(qū)”中有512*8（或256*16）或2048*8（或1024*16）個位，“備用區(qū)”中有16*8（或8*16）或64*8（或32*16）個位，這樣每一頁總共有528*8（264*16）或2112*8（或1056*16）個位。備用區(qū)是保留區(qū)域，用來標(biāo)記壞塊（bad block）和存放ECC的值，因此對于用戶來說只有“主區(qū)”是可用的。

圖1是MT29F2G08AxB的結(jié)構(gòu)圖，它的讀取和編程都以Page為基本單位，所以它的Cache Register和Data Register都是一個Page的規(guī)格。NandFlash的特別之處就在于頁結(jié)構(gòu)，它分成數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)兩個部分，數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)按頁的形式一一對應(yīng)，因此讀取和編程的數(shù)據(jù)流也需要按頁的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組織和分解。

圖1所示的MT29F2G08AxB芯片的數(shù)據(jù)區(qū)為2048字節(jié)，備用區(qū)為64字節(jié)。在實際應(yīng)用中，備用區(qū)一般用于數(shù)據(jù)區(qū)的檢錯和糾錯。

NAND flash出廠時可能含有無效的塊，在使用過程中也可能會出現(xiàn)其他無效的塊。無效的塊即為包含一個或多個壞位的塊。每一片芯片在出廠前都經(jīng)過測試和擦除，并標(biāo)識了壞塊，禁止對在出廠時作了標(biāo)記的壞塊進(jìn)行擦除或編程。因此在應(yīng)用中和編程時，都需要能夠?qū)膲K進(jìn)行識別和處理。NandFlash的第一塊保證是可用的。

另外，Micron NandFlash具有10個頁的OTP區(qū)域，這個區(qū)域不能被擦除，只能編程一次，而且如果被保護(hù)，即使是把1編程為0也是禁止的。

由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生產(chǎn)中及使用過程中會產(chǎn)生壞塊。所以NandFlash芯片廠商為了區(qū)分好塊與壞塊，會在出廠的時候在備用區(qū)某個地址中標(biāo)記非FFh表示壞塊。

工廠在寬溫和寬電壓范圍內(nèi)測試了Nand；一些由工廠標(biāo)記為壞的區(qū)塊可能在一定的溫度或電壓條件下仍然能工作，但是，將來可能會失效。如果壞塊信息被擦除，就無法再恢復(fù)。